Задания тест по теме

ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием

Но такая ПЗУ-схема, за исключением построения ячейки, структурно не отличается от обычного масочного постоянного запоминающего устройства. Иногда такие устройства называют ещё репрограммируемыми. Но при всех преимуществах имеются и определённые границы скорости стирания информации: для этого действия обычно необходимо около 10-30 минут.

Несмотря на возможность перезаписи, репрограммируемые устройства имеют ограничения по использованию. Так, электроника с ультрафиолетовым стиранием может пережить от 10 до 100 циклов перезаписи. Затем разрушающее влияние излучения становится настолько ощутимым, что они перестают функционировать. Увидеть использование подобных элементов можно в качестве хранилищ для программ BIOS, в видео- и звуковых картах, для дополнительных портов. Но оптимальным относительно перезаписи является принцип электрического стирания. Так, число перезаписей в рядовых устройствах составляет от 100 000 до 500 000! Существуют отдельные ПЗУ-устройства, которые могут работать и больше, но большинству пользователей они ни к чему.

Назначение ОЗУ

Замечание 1

Оперативная память используется для хранения и передачи информации ЦП, на жесткий диск, на другие внешние устройства, которая располагается в специальных разъемах на материнской плате. ОЗУ представляет собой схему из огромного числа мельчайших конденсаторов и транзисторов (одна пара позволяет хранить $1$ бит). При выключении ПК введенная информация исчезает, т.к. данные не были записаны на жесткий диск, где могут долго сохраняться, а находились в ОЗУ. Но в случае отсутствия оперативной памяти, данные должны были бы располагаться на жестком диске, и тогда время обращения к ним резко бы увеличилось, что привело бы к резкому снижению общей производительности ПК.

Итак, ОЗУ используется для:

• хранения данных и команд для дальнейшей их передачи ЦП для обработки;
• хранение результатов вычислений, которые были произведены ЦП.
• считывание (или запись) содержимого ячеек.

Оперативная память изготовлена в виде микросхем, которые крепятся на специальных пластинах и устанавливаются на системной плате в соответствующие разъемы.

Рисунок 1. Модуль оперативной памяти, вставленный в системную плату

При включении ПК в ОЗУ загружается операционная система, затем программное обеспечение и документы. ЦП управляет загрузкой программ и данных в ОЗУ, далее данные в ОЗУ обрабатываются. Таки образом, ЦП работает с инструкциями и данными, которые находятся в ОЗУ, а другие устройства (диски, магнитная лента, модем и т.д.) действуют через нее. Поэтому оперативная память имеет огромное влияние на работу компьютера. Т.к. ОЗУ предназначена для хранения данных и программ только во время работы ПК, то после выключения электропитания все данные в ОЗУ теряются. Во избежание потери данных или внесенных в документы изменений перед выключением ПК необходимо сохранить данные на жесткий диск и только потом выйти из приложения.

Классификация и виды SDRAM в видеокартах

В новых видеокартах и в старых моделях используется тот же тип синхронной памяти SDRAM. В новых и устаревших моделях видеокарт наиболее часто используется такой тип видеопамяти:

• GDDR2 SDRAM — пропускная способность составляет до 9,6 ГБ/с;
• GDDR3 SDRAM — пропускная способность составляет до 156.6 ГБ/с;
• GDDR5 SDRAM — пропускная способность составляет до 370 ГБ/с.

Чтобы узнать тип вашей видеокарты, объем ее ОЗУ и тип памяти, нужно воспользоваться бесплатной утилитой GPU-Z. Например, на изображении ниже изображено окно программы GPU-Z, в котором описаны характеристики видеокарты GeForce GTX 980 Ti.

На смену популярной сегодня GDDR5 SDRAM в ближайшем будущем придет GDDR5X SDRAM. Это новая классификация видеопамяти обещает поднять пропускную способность до 512 ГБ/с. Ответом на вопрос, чего хотят добиться производители от такой большой пропускной способности, достаточно прост. С приходом таких форматов, как 4K и 8K, а также VR устройств производительности нынешних видеокарт уже не хватает.

Как узнать, сколько памяти на вашем устройстве

Отвечать на этот вопрос будем поступательно – сначала в зависимости от вида памяти, а затем от операционной системы.

Итак, чтобы узнать объем ОЗУ, необходимо сделать следующее:

для устройств на платформе Android – скачать на Play Market программу CPU-Z, Antutu Benchmark или любой другой тестер;

Рис. №1. ОЗУ в программе CPU-Z и Antutu Benchmark

• для устройств на платформе iOS – скачать в AppStore тот же Antutu Benchmark или любой другой тестер (интерфейс будет точно таким же, как показано на рисунке №1);
• для Windows Phone – зайти в «Настройки», затем открыть пункт «Дополнительно».

Рис. №2. ОЗУ в настройках Windows Phone

На других ОС, вроде BlackBerry, где нет возможности скачать какой-то тестер, остаётся просто заходить на сайт производителя и смотреть там характеристики вашей модели телефона.

Чтобы узнать, сколько на данный момент используется памяти на нужды ПЗУ, необходимо сделать следующее:

Android – скачать любой менеджер задач, к примеру, Clean Master (в главном меню нужно выбрать «Менеджер приложений») и посмотреть, сколько памяти задействовано;

Рис. №3. Объем ПЗУ для каждого приложения в Clean Master

• iOS – тоже скачать менеджер задач, например, «Система изнутри» от Anna Negara
• или другие;
• Symbian – те же менеджеры задач Access Apps, Best TaskMan, Jbak TaskMan и другие.

Та же ситуация и на других платформах – нужно искать менеджеры задач.

Правда, вы легко можете попасть на планировщики, то есть программы, где пользователь может внести в свой календарь какие-то планы.

Поэтому лучше искать по запросу «диспетчер задач».

Что касается Windows Phone, то для этой платформы нет ни единого толкового диспетчера задач: что, безусловно, является огромным упущением.

Здесь есть разве что Device Diagnostics HUB, который показывает общий объем памяти и загруженность процессоров – обычного и графического.

От общего объёма памяти можно отнять примерный объем файлов и получится объем ПЗУ.

Ещё там есть вкладка Processes, которая показывает все запущенные приложения и их объем занимаемой памяти.

Можно тоже взять их общее количество и получить ПЗУ.

Рис. №4. Работа Device Diagnostics HUB

Что же касается общего объёма внутренней памяти, то здесь тоже актуален вариант с тестерами вроде Antutu Benchmark – везде, где показывается ОЗУ, где-то рядом есть и «Внутренняя память» или же Internal Storage.

Способ программирования

• непрограммируемые ПЗУ;
• ПЗУ, программируемые только с помощью специального устройства — программатора ПЗУ (как однократно, так и многократно прошиваемые). Использование программатора необходимо, в частности, для подачи нестандартных и относительно высоких напряжений (до +/- 27 В) на специальные выводы;
• внутрисхемно (пере)программируемые ПЗУ (ISP — англ. in-system programming) — микросхемы, имеющие внутри генератор всех необходимых высоких напряжений. Могут быть перепрошиты программным способом, то есть, без программатора и без выпайки из печатной платы.

Ваш карманный Android гаджет сохраняет все программы и данные либо в постоянном (ROM), либо в оперативном (RAM) запоминающем устройстве. ROM — это постоянное запоминающее устройство (Read-Only Memory). Программы которые поставляются вместе с устройством, записаны в ROM. Данные, находящиеся в ROM, доступны только для чтения вы не сможете случайно их удалить.

RAM — это оперативное запоминающее устройство (Random Access Memory). Все документы, файлы в формате МРЗ и т.д., которые вы храните на вашем устройстве, обычно записываются в RAM. Этот вид памяти непостоянен. Если батарея полностью разрядится или будет произведена жесткая перезагрузка (о жесткой и мягкой перезагрузке читайте далее), вам придется переинсталлировать все программы, которые вы установили на вашем устройстве. Для поддержания уровня заряда батареи, вовсе не обязательно покупать батареи оптом — достаточно время от времени подзаряжать устройство. Хорошо, если после подключения питания вашего устройства и соединения с компьютером с помощью программы синхронизации удастся восстановить все ваши файлы (электронные сообщения, контакты, документы, музыку и т.д.) на момент последней синхронизации. Поэтому помните: все эти файлы должны быть сохранены на компьютере, а не только на мобильном устройстве — для этого и нужна программа синхронизации.

Flash ROM/File Store — это встроенный способ записи файлов в ROM. Многие новейшие модели Android устройств обладают этой возможностью. Более подробная информация об использовании программы синхронизации для резервного копирования файлов будет опубликована несколько позже.

Используемый на многих современных КПК и ноутбуках способ использует ресурсы ROM- памяти

Важно помнить, что, так как прямого доступа к этой памяти нет, передавая устройство в сервисный центр, осуществляющий ремонт ноутбуков или КПК, необходимо снять эту защиту. Конечно, в том случае, если у вас есть такая возможность

Дополнительные материалы:

• В этом разделе архитектура игровой приставки DENDY рассматривается с точки зрения программирования, подробно описываются центральный процессор, способы формирования изображения, работа
• Память Pocket PC состоит из трех частей: встроенных ПЗУ и ОЗУ, а также съемной карты расширения флеш-памяти. ПЗУ (ROM) используется для хранения операционной системы, встроенных
• Нужно ли как-то защищать дисплей карманного компьютера? Дисплей карманного компьютера достаточно легко повредить, например, случайно поцарапать. Поэтому для защиты дисплея
• Получение корневого доступа к устройству требует настройка на другом уровне. Некоторые из удобств, которыми вы могли бы наслаждаться в телефоне или на планшете, могут отсутствовать, либо

Энергонезависимая память

Твердотельные накопители — один из примеров запоминающего устройства.

Энергонезависимая память — это память компьютера, которая может сохранять сохраненную информацию даже при отключении питания. Примеры энергонезависимой памяти включают постоянную память (см. ПЗУ ), флэш-память , большинство типов магнитных компьютерных запоминающих устройств (например, жесткие диски , гибкие диски и магнитную ленту ), оптические диски и ранние компьютерные методы хранения, такие как бумага. лента и перфокарты .

Скоро энергонезависимые технологии памяти включают FERAM, CBRAM , PRAM , STT-RAM , SONOS , RRAM , беговая память , NRAM , 3D Xpoint и многоножки памяти .

Программируемые постоянные запоминающие устройства

ППЗУ оказались достаточно удобными в процессе технологического изготовления, чтобы к ним можно было прибегать при средне- и мелкосерийном производстве. Но такие устройства имеют и свои ограничения — так, записать программу можно только раз (из-за того, что перемычки испаряются раз и навсегда). Из-за такой невозможности использовать постоянное запоминающее устройство повторно, при ошибочном записывании его приходится выбрасывать. В результате повышается стоимость всей произведённой аппаратуры. Ввиду несовершенства производственного цикла эта проблема довольно сильно занимала умы разработчиков устройств памяти. Выходом из этой ситуации стала разработка ПЗУ, которое можно программировать заново многократно.

Текстовая часть ПЗУ

а) характеристику  земельного  участка,  предоставленного  для размещения объекта капитального строительства;

б) обоснование    границ   санитарно-защитных   зон   объектов капитального  строительства  в пределах границ земельного участка -в случае  необходимости  определения указанных зон в соответствии с законодательством Российской Федерации;

в) обоснование  планировочной организации земельного участка в соответствии  с  градостроительным  и техническим регламентами либо документами  об использовании земельного участка (если на земельный участок  не распространяется действие градостроительного регламента или   в   отношении   его   не  устанавливается  градостроительный регламент);

г) технико-экономические    показатели   земельного   участка,предоставленного     для     размещения     объекта    капитального строительства;

д) обоснование  решений по инженерной подготовке территории, в том  числе  решений  по  инженерной  защите  территории  и объектов капитального строительства  от  последствий  опасных геологических процессов, паводковых, поверхностных и грунтовых вод;

е) описание организации рельефа вертикальной планировкой;

ж) описание решений по благоустройству территории;

з) зонирование       территории       земельного      участка,предоставленного для     размещения     объекта    капитального строительства,    обоснование функционального    назначения    и принципиальной  схемы размещения зон, обоснование размещения зданий и  сооружений  (основного, вспомогательного, подсобного, складского и  обслуживающего назначения) объектов капитального строительства -для объектов производственного назначения;

и) обоснование  схем транспортных коммуникаций, обеспечивающих внешние  и  внутренние  (в  том числе межцеховые) грузоперевозки, -для объектов производственного назначения;

к) характеристику   и   технические   показатели  транспортных коммуникаций   (при  наличии  таких  коммуникаций) —  для  объектов производственного назначения;

л) обоснование схем транспортных коммуникаций,  обеспечивающих внешний и внутренний подъезд к объекту капитального  строительства,- для объектов непроизводственного назначения;

Классификация

По типу исполнения ПЗУ выделяют:

• ПЗУ, в которых массив данных (в обиходе называемый «прошивкой») совмещён с устройством выборки (считывающим устройством):
  • микросхема ПЗУ;
  • один из внутренних ресурсов однокристального компьютера (микроконтроллера), как правило, FlashROM;
  • моноскоп;
• ПЗУ, в которых массив данных существует самостоятельно:
  • компакт-диск;
  • гибкая грампластинка с (с 1975 года);
  • перфокарта;
  • перфолента;
  • штрих-коды;
  • монтажные «1» и монтажные «0».

По разновидностям микросхем выделяют ПЗУ:

• по технологии изготовления кристалла:
  • ROM — (англ. read-only memory, постоянное запоминающее устройство) — масочное ПЗУ, изготовляемое фабричным методом;
  • PROM — (англ. programmable read-only memory, программируемое ПЗУ (ППЗУ)) — ПЗУ, однократно «прошиваемое» пользователем;
  • EPROM (англ. erasable programmable read-only memory) — перепрограммируемое ПЗУ, например, содержимое микросхемы К573РФ1 стиралось при помощи ультрафиолетовой лампы. Для прохождения ультрафиолетовых лучей к кристаллу в корпусе микросхемы было предусмотрено окошко с кварцевым стеклом;
  • EEPROM (англ. electrically erasable programmable read-only memory — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ, память которого может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз, используется в твердотельных накопителях, одной из разновидностей EEPROM является флеш-память;
  • ПЗУ на магнитных доменах, например, К1602РЦ5, которое имело сложное устройство выборки и хранило довольно большой объём данных в виде намагниченных областей кристалла, при этом не имея движущихся частей, обеспечивает неограниченное количество циклов перезаписи;
  • NVRAM (англ. non-volatile memory, «неразрушающаяся» память) — ПЗУ, выполняющее роль ОЗУ небольшого объёма, конструктивно совмещённое с батарейкой; в СССР такие устройства часто назывались «Dallas» по имени фирмы , выпустившей их на рынок; в NVRAM современных ЭВМ батарейка уже конструктивно не связана с ОЗУ и может быть заменена;
• по виду доступа:
  • ПЗУ с параллельным доступом — ПЗУ, которое в системе может быть доступно в адресном пространстве ОЗУ, например, К573РФ5;
  • ПЗУ с последовательным доступом — ПЗУ, часто используемые для однократной загрузки констант или «прошивки» в процессор или ПЛИС, используемые для хранения, например, настроек каналов телевизора и других данных, например, 93С46, AT17LV512A;
• по способу программирования микросхем (то есть, по способу записи «прошивки» в микросхему):
  • непрограммируемые ПЗУ;
  • ПЗУ, программируемые только с помощью специального устройства — программатора ПЗУ (как однократно, так и многократно прошиваемые), использование программатора необходимо, в частности, для подачи нестандартных и относительно высоких напряжений (до ±27 В) на специальные выводы;
  • внутрисхемно перепрограммируемые ПЗУ (англ. in-system programming, ISP) — микросхемы, имеющие внутри генератор всех необходимых высоких напряжений, могут быть перепрошиты программным способом, то есть, без программатора и без выпайки из печатной платы.

1.1 Характеристика земельного участка.

Площадка строительства расположена по адресу: г.Ульяновск, Засвияжский район, 5 квартал жилого микрорайона Запад-1 комплекса «Симбирское кольцо» и ограничена:

С севера — ул. Камышинской и далее Спортивным Симбирским парком

С запада — территорией детского сада и шоссе А-151 с выездом на Московское шоссе,

С востока — жилыми домами на этапе строительства и ул. Генерала Мельникова,

С юга — жилой застройкой и Александровским парком.

На площадке строительства имеются сооружения ТП и РП, сохраняемых на начало строительства. Инженерные коммуникации выносятся.

Рельеф площадки в основном ровный с перепадом отметок 111.30-110.00 м.абс. Топографический план масштаба 1:500 выполнен ООО «Советникъ» в 2014 году.

Согласно инженерно-геологическим изысканиям, выполненным в 2013г. ЗАО «УльяновскТИСИЗ», площадка с поверхности имеет непригодный слой почвенно-растительного грунта мощностью 0.4м, подлежащего срезки и дальнейшему использованию для устройства проектируемых участков газонов, далее представлены суглинки твердые, туго- и мягкопластичные мощностью 2.0-4.2м. Далее по разрезу залегают пески различной крупности.

Грунтовые воды вскрыты на глубине от 6,5 до 7.2м от поверхности земли, на абсолютных отметках 102.85-104.2м.

Масочное ПЗУ

Схематически от общей массы отличаются тем, что в запоминающей матрице соединения проводников заменены плавкими перемычками, изготовленные из поликристаллического кремния. На стадии производства создаются все перемычки, и компьютер считает, что везде записаны логические единицы. Но во время подготовительного программирования подаётся повышенное напряжение, с помощью которого оставляют логические единицы. При подаче низких напряжений перемычки испаряются, и компьютер считывает, что там логический нуль. По такому принципу действуют программируемые постоянные запоминающие устройства.

Масочное ПЗУ

Посмотрим на структуру масочного ПЗУ с матрицей 32х32 на биполярных транзисторах

Матрица состоит из 32-х транзисторов по числу строк (0-i-32), каждый из которых имеет 32 эмиттера по числу столбцов. Коллекторы всех транзисторов соединены с шиной питания (U_cc). Базы транзисторов образуют строки матрицы. Эмиттеры либо имеют соединение с разрядной шиной (цифирка 1 и черный кружочек), либо не имеют (0 и пустой кружок). Разрядные шины разделены на 4 группы по 8 (4х8=32). Каждая из 4-х групп замыкается на селектор MS1-MS4, который под управлением сигналов с выходов дешифраторов столбцов (DCY) выбирает из 8-ми одну и коммутирует ее на выходы. Выходные усилители считывания стробируются сигналами CS1, CS2. Выборку 4-х разрядного слова осуществляется 8-ми разрядным кодом адреса. Выбранное слово поступает на выход при CS1=CS2=0. Поскольку схема соединений и пороговые напряжения транзисторов не зависят от режима работы микросхемы, она обладает свойством энергонезависимости. Информация, находящаяся в ПЗУ называется прошивкой.

Исторические типы ПЗУ

Постоянные запоминающие устройства стали находить применение в технике задолго до появления ЭВМ и электронных приборов. В частности, одним из первых типов ПЗУ был кулачковый валик, применявшийся в шарманках, музыкальных шкатулках, часах с боем.

С развитием электронной техники и ЭВМ возникла необходимость в быстродействующих ПЗУ. В эпоху вакуумной электроники находили применение ПЗУ на основе потенциалоскопов, моноскопов, лучевых ламп. В ЭВМ на базе транзисторов в качестве ПЗУ небольшой ёмкости широко использовались штепсельные матрицы. При необходимости хранения больших объёмов данных (для ЭВМ первых поколений — несколько десятков килобайт) применялись ПЗУ на базе ферритовых колец (не следует путать их с похожими типами ОЗУ). Именно от этих типов ПЗУ и берёт своё начало термин «прошивка» — логическое состояние ячейки задавалось направлением навивки провода, охватывающего кольцо. Поскольку тонкий провод требовалось протягивать через цепочку ферритовых колец для выполнения этой операции применялись металлические иглы, аналогичные швейным. Да и сама операция наполнения ПЗУ информацией напоминала процесс шитья.

Распространенные виды неисправности внутренней памяти

Если телефон не включается, на дисплее виден только логотип, а дальнейшая загрузка ОС не происходит, появляются частые сообщения об ошибках или гаджет стал работать значительно медленнее, скорее всего, возникла проблема с внутренним хранилищем.

Выход из строя памяти возможен по следующим причинам:

• Попадание влаги внутрь корпуса;
• Физические повреждения в результате падения;
• Некорректная работа контроллера;
• Заводской брак;
• Использование неподходящего по параметрам тока зарядного устройства.

Часто проблемы с доступом к памяти возникают из-за программных ошибок. В таких случаях помогает перепрошивка устройства или установка более новой версии ОС.

Точные причины некорректной работы памяти устройства смогут установить специалисты во время диагностических процедур. Если после удаления ненужных файлов устройство продолжает работать медленно, следует обратиться в сервисный центр.

Что такое ПЗУ?

Чем они являются и где используются? Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) представляют собой энергонезависимую память. Технологически они реализованы как микросхема. Одновременно мы узнали, какова аббревиатуры ПЗУ расшифровка. Предназначены устройства для хранения информации, введённой пользователем, и установленных программ. В постоянном запоминающем устройстве можно найти документы, мелодии, картинки — т.е. всё, что должно храниться на протяжении месяцев или даже лет. Объемы памяти, в зависимости от используемого устройства, могут меняться от нескольких килобайт (на простейших устройствах, имеющих один кристалл кремния, примером которых являются микроконтроллеры) до терабайтов. Чем больше объем ПЗУ — тем больше объектов может быть сохранено. Объем прямо пропорционален количеству данных. Если уплотнить ответ на вопрос, что такое ПЗУ, следует ответить: это которое не зависит от постоянного напряжения.

1.5 Организация рельефа.

Вертикальная планировка территории решена в основном в небольших насыпях высотой 0.1-0.5м, и выемках до 0.5м (насыпной грунт).

Основные земляные работы на площадке:

• устройство корыта под автопроезды, тротуары, озеленение,
• разработка выемок,
• устройство насыпи.

При этом для организации насыпи проектом намечается использование грунта из выемок, из корыта автопроездов, тротуаров и озеленения с перемещением в насыпь с коэффициентом уплотнения до 0.95м, а под проездами с асфальтобетонным покрытием — с коэффициентом уплотнения 0.98.

Водоотвод на площадке решен посредством ливневой канализации с дождеприемными колодцами.

Что такое ПЗУ

ПЗУ или ROM (Read only memory – Только для чтения) – типичное устройство хранения неизменяемой информации, включенное в состав почти каждого компонента ПК и телефона и требующееся для запуска и работы всех элементов системы. Содержимое в ROM записано производителем аппаратного обеспечения и содержит директивы для предварительного тестирования и запуска устройства.

Свойствами ПЗУ являются независимость от питания, невозможность перезаписи и возможность хранить информацию длительные сроки. Информация, содержащаяся в ROM, вносится разработчиками однажды, и аппаратное обеспечение не допускает её стирания, хранится до окончания службы компьютера или телефона, или его поломки. Конструктивно ПЗУ защищены от повреждений при перепадах напряжения, поэтому нанести ущерб содержащейся информации могут только механические повреждения.

По архитектуре делятся на масочные и программируемые:

• В масочных устройствах информация вносится с помощью типичного шаблона на финальном этапе изготовления. Содержащиеся данные не могут быть перезаписаны пользователем. Разделяющими компонентами выступают типичные pnp элементы транзисторов или диодов.
• В программируемых ПЗУ (Programmable ROM) информация представлена в виде двумерной матрицы проводящих элементов, между которыми расположен pn переход полупроводникового элемента и металлическая перемычка. Программированием такой памяти происходит устранением или созданием перемычек посредством тока высокой амплитуды и продолжительности.

1.1 Характеристика земельного участка.

Площадка строительства расположена по адресу: г.Ульяновск, Засвияжский район, 5 квартал жилого микрорайона Запад-1 комплекса «Симбирское кольцо» и ограничена:

С запада — территорией детского сада и шоссе А-151 с выездом на Московское шоссе,

С востока — жилыми домами на этапе строительства и ул. Генерала Мельникова,

С юга — жилой застройкой и Александровским парком.

На площадке строительства имеются сооружения ТП и РП, сохраняемых на начало строительства. Инженерные коммуникации выносятся.

Рельеф площадки в основном ровный с перепадом отметок 111.30-110.00 м.абс. Топографический план масштаба 1:500 выполнен ООО «Советникъ» в 2014 году.

Согласно инженерно-геологическим изысканиям, выполненным в 2013г. ЗАО «УльяновскТИСИЗ», площадка с поверхности имеет непригодный слой почвенно-растительного грунта мощностью 0.4м, подлежащего срезки и дальнейшему использованию для устройства проектируемых участков газонов, далее представлены суглинки твердые, туго- и мягкопластичные мощностью 2.0-4.2м. Далее по разрезу залегают пески различной крупности.

Грунтовые воды вскрыты на глубине от 6,5 до 7.2м от поверхности земли, на абсолютных отметках 102.85-104.2м.