Как разогнать оперативную память ddr4 на примере avexir core

Что лучше разгонять: процессор или память?

На этот вопрос IT-эксперты не дают однозначного ответа. Почти всегда имеет смысл делать и то и другое одновременно. Вместе с тем некоторые специалисты полагают, что отдельный разгон процессора даст гарантированное увеличение производительности системы. В то время как эффект от использования разогнанной памяти не всегда сопровождается реальным ускорением работы ПК, а иногда даже, наоборот, система начинает «тормозить».

Как разогнать оперативную память компьютера так, чтобы производительность гарантированно выросла, но при этом снизилась вероятность возникновения неисправностей? Раскрыть реальный потенциал аппаратных компонентов ПК, как считают IT-эксперты, можно, реализуя комплексный подход, который выражается в одновременной работе по разгону самых разных типов «железа».

В частности, практическая значимость увеличения производительности ПК возникает, как правило, при запуске компьютерных игр и мощных графических приложений. Поэтому одновременно с ОЗУ и процессором имеет смысл разогнать также и видеокарту. Выставляя параметры оперативной памяти, предполагающие искусственное ускорение ее работы, следует сопоставлять их со значениями, которые потребуется устанавливать для других аппаратных компонентов ПК.

Разгон оперативной памяти через БИОС

Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.

Разгон ОЗУ в БИОС Award

Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.

Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.

Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.

Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ

Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор

Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.

В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.

После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.

Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.

Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI

Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.

Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.

После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

• частоты
• таймингов
• напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Шаг 3.

На данном этапе работы мы будем увеличивать частоту. Шаг увеличения этого параметра обычно равен 100 MГц. В Bios’е она обычно обозначается как DRAM Frequency. Если у модуля есть X.M.P. профиль, то мы начинает разгон от его частоты. Если же нет, то придется подбирать, начиная с 2100 МГц – самого минимального значения. Тайминги мы пока трогать не будем.

Некоторые материнские платы начинают автоматически подбирать тайминги для установленной частоты. Чтобы это не происходило, и мы могли контролировать процесс самостоятельно, неплохо будет вручную зафиксировать тайминги.

И так, мы растим частоту на 100 МГц, затем нажимаем клавишу F10, чтобы сохранить результаты и смотрим – запустился ли наш компьютер. Если ПК запустился, нам нужно провести стресс-тест, чтобы проверить оперативную память на стабильность работы.

Самый просто вариант для этого – программа AIDA. Она бесплатная на 30 дней и ее без проблем можно скачать, а затем удалить с вашего компьютера. Тестировать мы будем модули оперативной памяти данной программой хотя бы в течении 10-15 минут. Если все хорошо – мы заходим снова в BIOS, увеличиваем частоту еще на 100 МГц и повторяем процедуру запуска и теста.

В какой-то момент все может стать плохо и компьютер перестанет запускаться или проходить стресс-тест. В такой ситуации нужно увеличивать тайминги. Но пред этим нужно «заставить» компьютер снова запуститься.

Для этого мы должны сбросить настройки BIOS к заводским параметрам.  Это можно сделать кнопками Clear CMOS или MemOK на вашем материнской плате. Можно поступить еще проще- выключить питание из розетки и на несколько секунд вытащить батарейку BIOS’a вашей материнской платы.

Но вернемся к выставлению таймингов. Есть много схем выставления таймингов, но жестких правил тут нет, так что можно сделать это даже интуитивно.

В общем и целом, можно растить тайминги на значения 23-24 по первым трем. Значения выше выставить можно, но это уже будет перебор и ПК может начать работать медленнее.

Минусы

• При разгоне есть риск получения необратимых повреждений оперативной памяти, если разгон производится посредством увеличения рабочей частоты. При переходе на большую рабочую частоту для стабильной работы необходимо повысить напряжение питания. При превышении его максимально допустимой величины плата может сгореть.
• Нередко контроллеры оперативной памяти располагаются не на материнской плате, а интегрированы в кристалл центрального процессора. Слишком сильный разгон может существенно увеличить тепловыделение на контроллерах и привести к выходу процессора из строя.
• Параметры разгона оперативной памяти, неприемлемые для материнской платы, могут привести к отказу старта операционной системы. В большинстве случаев это происходит из-за неспособности материнской платы автоматически отменить недопустимые для неё настройки BIOS. Это исправляется обычным извлечением батарейки из платы, но иногда может привести к повреждению компонентов компьютера.
• Разгон оперативной памяти, за счёт увеличения рабочей частоты, может потребовать увеличения таймингов для обеспечения стабильности работы. Из-за этого итоговая производительность может измениться как в большую, так и в меньшую сторону.
• Процесс разгона оперативной памяти очень трудоёмкий. Изменение одних параметров требует корректировки других. В ряде случаев требуется возврат на несколько шагов назад. Даже при идеальном разгоне реальный прирост быстродействия существенно уступает тому, которое достигается при разгоне центрального процессора.
• Снижение срока службы оперативной памяти. Перевод из номинального режима работы в режим повышенных или экстремальных нагрузок обязательно снизит рабочий ресурс модулей памяти.
• Разгон оперативной памяти сверх номинальных режимов работы, установленных производителем, является основанием для отказа от гарантийных обязательств перед потребителем. Сейчас появились модули памяти, на которые производитель даёт пожизненную гарантию (на заявленный срок службы). В этом случае следует хорошо подумать перед проведением с ней каких-либо манипуляций.

Intel Bloomfield

Любимцы энтузиастов — процессоры Core i7 девятисотой
серии — обладают феноменальной вычислительной мощностью, однако с их помощью
очень сложно заставить память работать на запредельных частотах. Отчасти это
компенсируется тем, что контроллер памяти у Bloomfield может работать в
трехканальном режиме, недоступном другим рассматриваемым платформам.

При работе с Core i7-9хх возможности оверклокерских
модулей, как правило, упираются в недостаточную производительность
процессорного блока Uncore. Последний состоит из контроллера памяти и L3-кэша,
а скорость его работы напрямую зависит от BCLK. При этом существует правило,
что частота этого блока должна быть как минимум в два раза выше частоты работы
памяти, то есть, например, для нормального функционирования плашек в режиме
DDR3-1800 придется завести Uncore на 3600 МГц. Проблема заключается в том, что
этот самый блок получился большим и горячим. Работу в нештатном режиме он не
любит, и подаваемое на него напряжение необходимо существенно увеличивать (но
не выставлять выше 1,4 В!). В итоге, даже если не разгонять вычислительные
блоки процессора, Uncore с частотой 4000 МГц разогреет кристалл так, что не
всякий кулер справится. Поэтому пересечь черту в 2000 МГц для памяти, не применяя
серьезное охлаждение, крайне сложно. А поскольку разгонять память, не повышая
частоту процессора, не очень разумно, можно констатировать, что
среднестатистическому компьютеру на базе Bloomfield скоростная память вообще не
нужна — какой-нибудь DDR3-1600 хватит с лихвой.

Любопытно, что модели семейства Core i7-9хх предоставляют в
распоряжение пользователя внушительный набор множителей для памяти — они
покрывают диапазон от 6х до 16х с шагом 2х. Для Uncore множитель так и вовсе
можно выкручивать до 42х. Ну а поскольку штатная частота BCLK у Bloomfield
равна 133 МГц, к максимально возможным для памяти значениям частоты можно
подобраться, даже не трогая тактовый генератор. Впрочем, играясь и с BCLK, и с
множителем, опытный оверклокер в любом случае сможет выжать из плашек еще
немного бонусных мегагерц.

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня «80+».

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

DDR4-2133 Corsair Vengeance

Как и в предыдущем варианте, данная оперативная память хорошо функционирует с процессорами «Сокет 2011-3» и АМ4. В комплекте четыре планки по четыре гигабайта, форм-фактор соответствует стандарту DIMM, а временная задержка составляет 13-15-15-28. В стандартном режиме ОЗУ работает с частотами от 1333 до 2133 мегагерц, но с профилем XMP второй версии можно начинать разгон оперативной памяти DDR4 Corsair Vengeance с показателей 2133 или 2400 мегагерц.

Комплектация модулей выглядит внушающей — картонная коробка, внутри которой два пластиковых контейнера, в каждом по два модуля. Такая упаковка надежно защищает не только от ударного урона, но и от статических повреждений.

Внешний вид планок выполнен качественно, особенно что касается системы охлаждения самих модулей. Самостоятельно радиаторы, установленные на планках оперативной памяти, могут охладить разогнанные модули, которые работали несколько часов подряд, до 42 градусов по Цельсию.

Есть возможность снять систему охлаждения, но тогда возникает риск повреждения чипов памяти и нарушение гарантии. Между микросхемами и радиатором расположена специальная термопрокладка, которая обеспечивает плотный контакт между ними, заполняя собой все свободное пространство.

Поставщиком чипов для данной оперативной памяти является Hynix — компания, которая поставляет чипы для различных видов комплектующих.

Как правильно разогнать оперативную память

Вопреки выше написанному, процесс не особенно сложен. Есть два вида разгона ОЗУ: ручной и автоматический.

Разгон вручную

Вручную RAM настраивается с помощью настроек в BIOS или UEFI во вкладке RAM -> Settings -> Memory или аналогичной (зависит от производителя). Разгон включает в себя перестановку таймингов, то есть вышеупомянутые параметры CL, RCD и Ras Precharge. Чтобы разблокировать возможность их настройки, нужно переключиться на ручную настройку (manual).

При повышении последующих параметров полезно использовать следующее уравнение: CL+RCD+RAS = tRAS. Однако это не правило, и с приобретением опыта лучше поэкспериментировать. Стоит опускать каждый параметр отдельно, и каждый раз включать программу для проверки стабильности

Это чрезвычайно важно, потому что только так получится определить оптимальную производительность

Разгон может проходить через:

1. Сокращение таймингов – таким образом, доступ к данным быстрее, что очень полезно при выполнении сложных вычислений.
2. Увеличение таймингов – таким образом увеличивается тайминг, который окажется полезным в играх.

Изменить тактовую частоту с помощью опции DRAM Clock. Значение по умолчанию стоит увеличить на несколько МГц, а затем проверить стабильность памяти с помощью Memtest. В тот момент, когда система перестает работать должным образом, стоит поднять напряжение в DRAM Voltage.

Например, DDR4 чаще всего имеет напряжение 1,2В. При разгоне нужно его повысить, от 1,35В до 1,5В – это безопасные значения. В самом начале стоит установить напряжение на 10 % выше номинального, и на этом основании проверить возможности разгона.

Автоматический разгон (XMP)

Чтобы пользователь не мучился с настройками в БИОСе, компания Intel создала специальную функцию – XMP. Ее поддерживают ряд материнских плат, поэтому если она имеется – лучше воспользоваться этой функцией. Вот небольшая инструкция:

Запустить BIOS. Перейти к настройкам под названием AI Overclock Tuner. В раскрывающемся списке выбрать опцию XMP. Затем ниже появится еще один флажок XMP, где нужно выбрать одни из доступных профилей работы памяти. После загрузки профиля соответствующие настройки изменятся, однако при этом стоит проверить значения задержки и вольтажа. Если вышеуказанные параметры установлены правильно, нужно сохранить настройки, выйти из UEFI и дождаться перезагрузки компьютера

После входа в операционную систему важно проверить стабильность работы памяти специальным приложением

Если система не загружается или во время теста компьютер зависает, или перезагружается, это означает, что материнская плата и память не станут работать вместе с такими настройками. Нужно заново зайти в BIOS и выбрать другой профиль XMP.

Разгон ОЗУ

При работе с частотами 2400 мегагерц можно выставить тайминги по умолчанию или с показателями 15-15-15-32. Для разгона до 3333 мегагерц понадобится одна уловка. Дело в том, что оперативная память от данного производителя не даст запуститься системе, если первое значение в таймингах будет меньше двадцати. Получается, что оптимальный вариант будет выглядеть следующим образом: 20-19-19-38.

При минимальном латентном показателе 15-15-15-32 и с частотой 2400 мегагерц скорость чтения файлов всего 18180 мегабайт в секунду. С аналогичной частотой, но в стоковом режиме 17-17-17-39 показатели чтения данных не меняются. При разгоне модуля до 3333 мегагерц скорость чтения информации возрастает до 24 тысяч мегабайт в секунду.

В стоковом режиме оперативная память в играх демонстрирует показатели от 50 до 60 кадров, а при разгоне данный показатель дает прирост в 10-15 кадров. При этом настройки графики в играх выставлены на максимальное значение.

Для чего используют разгон ОЗУ

Прежде чем приступать к разгону, стоит подумать, действительно ли это необходимо. В основном, этот тип деятельности проводится только для гейминга. Погоня за высокой частотой кадров заставляет не только покупать новое оборудование, но и настраивать текущее, чтобы получить максимальную производительность.

Однако разница будет видна только в некоторых случаях. Это, в основном, относится к интегрированным видеокартам, где оперативная память потребляется видеокартой, которой оснащены процессоры Ryzen. В этом случае ресурс ОЗУ влияет на эффективную работу всего чипа. Конечно, многое зависит и от самих игр. Некоторые из них, в основном, загружают видеокарту, другие, напротив, в большей степени используют вычислительную мощность процессора и оперативную память.

Принимая решение о разгоне, сначала стоит ознакомиться со всеми важнейшими параметрами RAM. Это позволит понять ее специфику, а также лучше подготовиться к самому разгону.

Что понадобится для разгона

Как и в случае с разгоном процессора, цель – увеличить тактовую частоту. Лучшие параметры обеспечат более высокую производительность, а также большую нагрузку. Поэтому ключевым условием является выбор правильного оборудования, которое позволит провести весь процесс безопасным и стабильным способом. Итак, что же нужно?

1. Материнская плата – должна быть хорошего качества, а также обеспечивать достаточный источник питания и поддержку более высоких рабочих частот ОЗУ (стоит проверить это в спецификации платы).
2. Кулеры в корпусе – будут отводить избыточное тепло.
3. Обновленный BIOS и UEFI – возможно, производитель материнской платы предоставил новые функции или оптимизировал предыдущие, что упростит процесс разгона.
4. Программа Memtest – проверка стабильности оперативной памяти после разгона. Конечно, можно использовать и другой диагностический софт.

Основные термины

Прежде чем приступить к разгону, стоит ознакомиться с используемыми терминами:

1. Тактовая частота – это скорость чтения и записи данных контроллером. Это влияет на скорость выполнения вычислений процессором.
2. CL (CAS Latency) – указывает время, необходимое для считывания данных контроллером памяти с момента отправки запроса. Чем ниже значение, тем лучше.
3. RCD (RAS-CAS Delay) – это время, которое проходит с момента завершения выполнения команды CAS, до начала выполнения следующей RAS.
4. RAS (Row Addres Strobe) – указывает время, необходимое для активации банка памяти до загрузки строки. Этот параметр имеет мало значения для производительности.
5. RP (Ras Precharge) – время, необходимое для закрытия банка памяти.
6. Вольтаж – память, предназначенная для разгона, потребляет больше электроэнергии. Питание имеет решающее значение для разгона.

Важно помнить, что CL и тактовая частота должны быть в равновесии – не стоит использовать высоко тактовую память с большими задержками, ведь ее потенциал не будет раскрыт

Многогранная

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс
разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров
устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские
пляски с тремя основными характеристиками — частотой, напряжением и задержками
(таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше — тем лучше!
Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить
модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы.
Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных
компьютерах, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем
вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают
эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических
утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная
частота.

В чем подвох? Название DDR — это сокращение фразы DDR SDRAM,
которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и
удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь — удвоенная скорость.
В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память
взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового
сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти.
Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать
именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту
работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы
вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то
не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на
их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным
является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1,5 В. Медленные модули, как правило,
придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают
с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его
приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному
тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое
увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные
границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2
разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти — задержки (тайминги),
и это, определенно, тема для отдельной главы.

Какой прирост производительности от разгона?

В связи с ростом доли процессоров AMD Ryzen на рынке компьютерного железа потребность в разгоне памяти резко увеличилась. Процессоры Ryzen очень чувствительны к частоте ОЗУ из-за новой шины Infinity Fabric, которая связывает две четырехядерные части кристалла между собой. Старая шина Hyper Transfer не была столь требовательна к памяти. Тоже самое касается и других старых процессоров. Их пропускная способность и возможности взаимодействия с памятью зачастую ограничивались производителем. Поэтому учитывайте, что максимальный прирост от разгона будет зависеть от нескольких факторов: тип ОЗУ, архитектура процессора, возможности материнской платы.

Если постараться привести какие-то конкретные цифры, то мы получим, что максимальный прирост производительности будет ощущаться на платформах со свежими моделями Ryzen на борту. От 20% и выше. Что же касается Intel, то для них частота оперативной памяти не так важна, но 10% разницу вы, скорее всего, заметите. На старых материнских платах с типами памяти DDR2, DDR3 прирост будет еще меньше, но это не повод от него отказываться. Конечно, увеличение производительности зависит от степени самого разгона, но если говорить совсем обобщенно и усредненно, то вы, вероятно, увидите вышеописанные цифры.

DDR4 Samsung

Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.

Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.

Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15FBK432, которая расшифровывается следующим образом:

• HX — модель оперативной памяти HyperX;
• 4 — принадлежность к стандарту DDR4;
• 24 — определение рабочей частоты 2400 мегагерц;
• C — данная маркировка указывает на то, что оперативная память относится к настольному типу компьютеров;
• 15 — такова задержка чтения данного модуля;
• F — маркировка модели Fury;
• B — обозначение цветового сегмента планки;
• K4 — комплектация, в данном случае — четыре штуки;
• 32 — общий объем оперативной памяти.

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.